MEMS-Patent

Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelementes, Germany DE4332653, September 1994 Inventor(s): ALAVI MANI DIPL ING DR [DE]; FABULA THOMAS DIPL PHYS [DE]; SCHUMACHER AXEL DIPL PHYS [DE]; WAGNER HANS-JOACHIM DIPL PHYS [DE] + Abstract The monolithically integrated semiconductor element has a bar structure arranged over a diaphragm and located on support webs. The„MEMS-Patent“ weiterlesen